Notebookcheck Logo

SK hynix slår enligt uppgift samman DRAM och NAND till ett enhetligt paket för lagring med hög bandbredd för att öka AI-prestanda på enheter

Ett par chips från SK hynix (Bildkälla: SK hynix)
Ett par chips från SK hynix (Bildkälla: SK hynix)
SK hynix utvecklar enligt uppgift ett nytt HBS-paket (High-Bandwidth Storage) som sammanfogar DRAM- och NAND-chip i en ultraeffektiv modul. Innovationen utlovar snabbare databehandling, bättre värmekontroll och förbättrad AI-prestanda för nästa generations smartphones och surfplattor.

SK hynix har enligt uppgift nått en viktig milstolpe med en innovation som kan förändra hur mobila enheter hanterar AI. Företagets nya hybridarkitektur, High-Bandwidth Storage (HBS), slår samman DRAM och NAND, vilket möjliggör högre datahastigheter, lägre latens och förbättrad energieffektivitet.

Enligt ETNews förväntar sig SK hynix att dess nya teknik ska öka AI-prestandan i smartphones.

Nästa generations minne för AI-drivna mobila enheter

Den viktigaste delen av SK hynix senaste innovation är Vertical Wire Fan-Out (VFO)-tekniken. VFO är en metod som gör det möjligt att stapla upp till 16 lager av DRAM och NAND vertikalt medan de är anslutna i en rak linje. Med den här processen kan SK hynix minska signalförlusten och överföringsavståndet eftersom det inte behövs några böjda ledningar som är vanliga i traditionella paket.

Resultatet blir ett HBS-paket med kortare databehandlingstid och ökad effektivitet. Detta ger förbättrad bandbredd i mobila enheter, på samma sätt som HBM (High-Bandwidth Memory) ökade prestandan i GPU:er och AI-servrar.

Mindre, snabbare och svalare

Enligt SK hynix minskar den nya VFO-processen kabeldragningskraven med 4,6 gånger. Den minskar strömförbrukningen med 5 procent och förbättrar värmeavledningen med 1,4 procent. Det sydkoreanska företaget har också minskat förpackningshöjden med 27 procent, vilket gör att mobila enheter kan bli ännu tunnare och arbeta vid lägre temperaturer.

SK hynix sparar också in på produktionskostnaderna eftersom HBS till skillnad från HBM inte kräver TSV-tillverkning (Through-Silicon Via), som vertikalt förbinder staplade chip genom att borra och fylla mikroskopiska hål genom kiselplattorna. Dessutom bidrar detta till att öka utbytet, vilket är avgörande för att skala upp produktionen.

AI-prestanda i mobila chip

När SK hynix HBS-modul paras ihop med applikationsprocessorn (AP) kommer den att göra det möjligt för smartphones och surfplattor att hantera AI-arbetsbelastningar bättre. Företaget har redan använt VFO-baserad DRAM-paketering i Apple:s Vision Pro.

Källa(n)

Please share our article, every link counts!
Mail Logo
> Bärbara datorer, laptops - tester och nyheter > Nyheter > Nyhetsarkiv > Nyhetsarkiv 2025 11 > SK hynix slår enligt uppgift samman DRAM och NAND till ett enhetligt paket för lagring med hög bandbredd för att öka AI-prestanda på enheter
David Odejide, 2025-11-12 (Update: 2025-11-13)