Huawei närmar sig 2 nm-klassad nod utan EUV

För några dagar sedan visade Huawei upp sin första smartphone-SoC i 5 nm-klassen som tillverkats på SMIC:s N+3-nod. Den nya Kirin 9030 drev Huaweis nyaste Mate80-serie. Nu ser det ut som att Huawei är nära sitt nästa genombrott: 2 nm. Halvledarforskaren Dr Frederick Chen upptäckte Huaweis patent från 2022, men publicerade det först nyligen; det har ännu inte godkänts.

I patentet diskuteras användningen av befintlig DUV-infrastruktur för att uppnå en metalldelning på 21 nm, vilket skulle göra den likvärdig med 2 nm-erbjudanden från TSMC och andra. Under normala omständigheter skulle det ta en DUV-laser flera exponeringar, men Huawei har räknat ut hur man kan minska det till fyra via SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning).

Det är förståeligt att det finns en viss skepsis kring den kommersiella genomförbarheten av en sådan strävan. Till att börja med skulle avkastningen vara alldeles för låg för att vara kommersiellt gångbar. Även om de är det, kommer de inte att vara i närheten av EUV-baserade lösningar.

En tidigare rapport uppgav att Kina arbetade med inhemska EUV-verktyg och en 3 nm-nod med kolnanorörsbaserade halvledare. Det har inte kommit så mycket information om detta på senare tid. Även om det lyckas kommer det inte att avslöjas officiellt inom den närmaste tiden på grund av Kinas hemlighetsfulla inställning till sin chiptillverkning.