Huawei arbetar enligt uppgift på två olika 3 nm-chip

Om ryktena från Kina stämmer har SMIC framgångsrikt tillverkat sitt första 5 nm-chip någonsin för Huawei: Kirin X90 Kirin X90. Företaget lyckades med detta utan ASML:s banbrytande EUV-maskiner. Företaget var tvunget att använda deras mindre effektiva DUV-baserade motsvarigheter på grund av handelsrestriktioner. En ny rapport från UDN berättar om Huaweis framtidsplaner för sin halvledarverksamhet.

Den kinesiska teknikjätten har börjat forska på en GAA FET-baserad 3 nm-nod som förväntas bli klar någon gång under 2026. Utan några utvecklingsmässiga hicka bör massproduktionen helst starta 2027. Alternativt forskas det också på 3 nm-chip baserade på kolnanorör, men det finns inga uppgifter om hur långt de har kommit.

Utbytet kommer dock att fortsätta att vara ett problem. Den ovan nämnda 5 nm-noden sägs ligga på usla 20%, och den siffran kommer bara att bli lägre vid 3 nm på grund av den extra komplexitet som DUV-multi-patterning innebär. Men det kan förändras om Kina på något sätt går över till EUV som TSMC, Samsung och Intel Foundry.

Kina har redan börjat arbeta med inhemska EUV-maskiner. X-användaren @zephyr_z9som är bekant med den kinesiska halvledarscenen, säger att Huawei aktivt testar EUV-teknik, som förmodligen kommer att vara redo för massproduktion 2026. Men en före detta ASML-ingenjör @lithos_graphein säger att det är osannolikt eftersom "ASML: s vallgrav är massiv och obestridd."

Men även om Kina hade EUV-verktyg i beredskap skulle landet inte offentliggöra dem. Enligt uppgift har 37 miljarder dollar öronmärkts för EUV-utveckling och alla framsteg kommer att hållas hemliga, precis som det som hände med Kirin 9010 och dess efterföljare.