Bandbredd vs. IOPS vs. effektivitet: Samsung utvecklar tre nya typer av NAND-lagring för AI-tillämpningar
Med hänvisning till branschkällor rapporterar den sydkoreanska teknikpublikationen Zdnet att Samsung Electronics utvecklar tre nya applikationsspecifika NAND-lagringssystem. Hittills har Samsung officiellt tillkännagett endast den första varianten, zNAND-O, men enligt Zdnet har företaget ytterligare två typer under utveckling. Här är alla tre varianterna:
zNAND-O – Effektivitet för AI på enheten
Den här typen av minne är särskilt utformad för lokala AI-tillämpningar. För att förkorta datavägarna och förbättra hastigheten och energieffektiviteten staplas NAND-kretsarna i fyra eller åtta lager och kopplas samman via TSV-anslutningar (through-silicon via). I det här fallet är prestandan något mindre viktig än effektiviteten, eftersom AI-tillämpningarna är avsedda att köras lokalt med så låg strömförbrukning som möjligt.
zNAND-T – Maximal databandbredd
Den här varianten är mer inriktad på högpresterande AI-datacenter, så flashminnet är utformat för att hantera särskilt stora datamängder per tidsenhet. Ett centralt begrepp här är High Bandwidth Flash (HBF). Målet är i slutändan att överföra stora datamängder så snabbt som möjligt.
zNAND-I – Exceptionellt höga hastigheter för in-/utmatningsoperationer
Den här varianten fokuserar på särskilt höga IOPS-värden, det vill säga in-/utdataoperationer per sekund. Detta är särskilt viktigt för AI-inferens, där ett stort antal små dataåtkomster behöver hanteras snabbt.
Endast zNAND-O har presenterats offentligt hittills. De andra två systemen har inte bekräftats officiellt och befinner sig fortfarande i ett tidigt utvecklingsskede.
Med detta steg följer Samsung strategin hos sin konkurrent SK Hynix, som också satsar på tre specialiserade typer av NAND. På lång sikt kan detta tillvägagångssätt skärpa konkurrensen på marknaden för AI-lagring och utöka NAND-flashminnets roll bortom traditionella SSD-tillämpningar.
Add as a preferred source on Google
